專利名稱	SEMICONDUCTOR DEVICE- A Low Cost and High Performance High-side NLDMOS Using N-buried Layer (NBL) and Lateral Linear Graded Doping Profile of N-drift Region
專利國別	美國
發表日期	2016/04/07
著作人	林詠章 (Lin Yongzhang)
記事	(01)楊紹明，(02)許健