Patent Title 「具有多重降低表面電場結構之橫向擴散金屬氧化物半導體及其製造方法」
Patent Country 台灣
Authors Wen-Lung Liang(梁文隆)
Note (01)楊紹明，(02)賀瑪，(03)阿力亞，(04)許健