專利

美國專利:

新唐科技

US8,592,901 B1

Nov.26,2013

新唐科技

US20140061788 A1

Mar.6,2014

世界先進

US8,154,078 B2

Apr.10,2012

世界先進

US8,252,652 B2

Aug.28,2012

世界先進

US2014/0117436 A1

May 1,2014

世界先進

US2011/0233672 A1

Sep.29, 2011

新唐科技

US20160099345 A1

Apr.7,2016

世界先進

US2011/0198692 A1

Aug.18,2011

世界先進

US9 ,048,115 B2

Jan 2, 2015

世界先進

US2015/0206966A1

Jul. 23,2015

台灣專利:

1.楊紹明、李元銘、蔡宗叡、許健「具P型頂環及溝槽區之降低表面電場半導體元件及其製造方法」發明第I 496289號,專利權期間:自2015年8月11日至2032年1月9日止。

2.許健、傑波 瑞迪、維傑 庫馬、楊紹明「橫向式絕緣雙極性電晶體及其製造方法」,發明第I503972號,專利權期間:自2015年10月11日至2032年8月5日止。

3.許健、楊紹明、賀瑪 艾納卡拉哈里 布塔司哇米、阿雅迪普、賴明芳、陳俊任「靜電放電保護元件的模擬等效電路及其模擬方法」,發明第I499926號,專利權期間:自2015年9月11日至2032年9月8日止。

4.楊紹明、賀瑪、阿力亞、許健「具有多重降低表面電場結構之橫向擴散金屬氧化物半導體及其製造方法」,發明第I533456號,專利權期間:自2016年5月11日至2034年6月24日止。

5.許健、維內、阿尼爾、楊紹明 「垂直式絕緣閘雙極電晶體及其製造方式」,發明第I532179號,專利權期間:自2016年5月1日至2033年8月21日止。

6.許健、伊米塔、拉胡爾、楊紹明 「超級接面功率元件之主動晶胞結構及其製造發法」,發明第I529927號,專利權期間:自2016年4月11日至2033年8月1日止。

7.許健、阿力亞、維偉克、維杰、曼英九、楊紹明「蕭基二極體結構」,發明第I518921號,專利權期間:自2016年1月21日至2033年8月4日止。

8.許健、維卡西 庫瑪、阿西夫 阿米羅費納、楊紹明「橫向擴散金屬氧化物半導體功率放大器及器製造方法」,發明第I527235號,專利權期間:自2016年3月21日至2033年7月31日止。

9.許健、拉胡爾、伊米塔、楊紹明 「超級接面功率元件之耐壓終止結構及其製造發法」,發明第I527098號,專利權期間:自2016年3月21日至2033年8月1日止。